TSMC
台积电是领先的纯晶圆代工厂，推动人工智能和高性能计算芯片的发展。它提供先进的3纳米至5纳米EUV工艺节点、高良率制造以及3DFabric封装技术——CoWoS、InFO和SoIC——用于HBM内存集成、芯片组和现代加速器所需的系统带宽。
概览
团队协同设计硅片和封装：选择工艺节点，划分芯片组，规划HBM堆叠，并利用OIP参考流程验证电源、时序和热管理。经过多项目晶圆或风险生产后，设计在成熟晶圆厂量产，然后通过CoWoS或SoIC组装，实现系统级带宽和可靠性。
能力与技术栈
非常适合无晶圆厂公司、超大规模云服务商和系统厂商，构建AI加速器、GPU、网络ASIC和边缘AI SoC。硬件架构师需要HBM带宽、芯片组划分和确定性电源完整性，获得从探索到量产的连贯路径。初创企业通过MPW验证首片硅片，企业规划持续产能和多节点路线图，受益于OIP支持、参考流程和与性能、热管理及成本目标对齐的成熟封装平台。
- 从7纳米到3纳米的EUV工艺节点，针对AI性能和功耗优化。
- 3DFabric封装集成HBM和芯片组，实现大规模内存带宽。
- OIP的PDK和参考流程加速签核、验证和良率提升。
- CoWoS中介层支持光罩级系统，提供低延迟芯片间互连。
- SoIC芯片堆叠实现高密度垂直连接和紧凑封装形式。
对AI硬件的重要意义
编辑观点
联系台积电客户团队，完成保密协议，获取PDK、设计规则和通过认证的EDA合作伙伴提供的OIP参考流程。早期定义工艺节点选项、封装目标和HBM规划，进行可行性研究和热建模。利用MPW试产早期硅片，或进入风险生产，随后执行时序、电源完整性和可靠性签核。协调CoWoS、InFO或SoIC封装与测试规划及良品芯片策略。认证、可靠性报告和供应规划指导量产提升，确保产能匹配和跨产品代的良率学习可预测。
AI性能现依赖于工艺、封装和内存带宽的协同优化——台积电的代工和3DFabric平台在制造复杂度可控的前提下提供可预测的扩展能力。
入门与部署
台积电独特地结合了领先工艺节点与成熟的3D封装技术，释放AI系统的带宽、能效和规模潜力。深度的OIP集成缩短流片周期，高产能制造和可靠性框架降低量产风险。对于优先考虑HBM邻近、芯片组灵活性和稳定良率的团队，提供连贯且与路线图对齐的发展路径。
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TSMC
台积电是全球最大的纯晶圆代工厂，与无晶圆厂公司和系统领导者合作制造先进半导体。公司专注于EUV工艺节点和先进封装，运营全球高产能制造网络，凭借开放创新平台实现严格的质量、可靠性和设计支持。
台积电是全球领先的专用半导体代工厂，提供支撑现代人工智能和高性能计算芯片的工艺技术和封装平台。设计师在先进的EUV节点（N5、N4、N3）上流片，并通过3DFabric集成宽带宽内存，包括CoWoS中介层、InFO扇出封装和SoIC芯片间堆叠。开放创新平台（OIP）将工艺设计套件（PDK）、参考流程和硅验证的IP与主要EDA供应商对齐，加速签核和良率提升。HBM集成、芯片组划分和确定性电源完整性在硅片和封装间协同设计，实现大型AI加速器和低延迟边缘SoC。凭借全球晶圆厂产能、强大的设计制造协同（DFM）和可靠性认证，台积电为关键任务部署提供可预测的扩展路径和供应连续性。路线图延伸至3纳米以下，提升未来产品的性能功耗比和密度。客户受益于多项目晶圆（MPW）试产、风险生产及硅片、先进封装和测试的协调量产提升。
www.tsmc.com/english
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