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2026年7月7日更新
概覽
設計意圖以遮罩與圖案形式進入流程。ASML 掃描器使用 EUV 或 DUV 光源曝光晶圓,線上感測器測量焦距、關鍵尺寸與對位。數據驅動控制策略與計算光刻模型,調整曝光與製程參數,降低變異並在量產與爬坡期間保護良率。
整合光刻能力
ASML 服務先進邏輯、記憶體、類比與混合訊號線路的晶片製造商、晶圓廠與 IDM,以及將技術轉移至製造的研發團隊。理想用戶包括光刻工程師、製程整合團隊、良率與計量專家、設備與設施工程師,以及負責節點爬坡與成本的製造主管。此平台適合需要跨層可預測對位、長期穩定關鍵尺寸、快速缺陷學習與以實證測量及校準模型驅動持續改進的組織。
- 提供用於大量奈米級晶片圖案化的 EUV 與 DUV 掃描器。
- 結合計量與檢測以監控對位、焦距與缺陷。
- 應用計算光刻優化設計與製程中的圖案。
- 整合精密機電與光學,實現穩定且高產能的曝光操作。
- 於全球六十多個據點提供客戶支援、訓練與服務。

主要優勢
利用 EUV 圖案化擴展先進邏輯節點。
透過整合計量與控制迴路收緊對位。
透過計算光刻與製程調整提升良率。
獲得全球支援、訓練與現場服務專業知識。
ASML 使用者
合作通常從節點或產品目標、產能目標與製程限制開始。ASML 應用與客戶支援團隊規劃配置、設施與爬坡計畫,協調安裝、驗證與與晶圓廠控制系統整合。訓練中心與文件加速操作員準備與維護程序。線上計量配方與檢測策略與曝光設定同步建立,計算光刻工作流程逐步擴展製程窗口。持續的現場服務、備品與性能監控維持可用性與產能,並透過共同工程與定期檢討,隨設計與製程條件演進調整系統。
當光學、機電、計量與計算作為一個緊密整合的系統運作時,奈米級的精度得以實現。
EUV 光刻EUV 掃描器產生極紫外光並精確投影圖案至晶圓,實現高密度特徵、提升效能與功率效率,適用於先進邏輯與記憶體節點。
DUV 光刻深紫外系統提供成熟且高產能的多波長與數值孔徑圖案化,支援多樣層次、成本敏感應用與主流邏輯、類比與記憶體產品的大量製造。
計量與檢測線上計量與電子束檢測測量對位、焦距、關鍵尺寸與缺陷,提供控制策略以穩定製程、加速爬坡並保護技術轉移與大量製造期間的良率。
計算光刻軟體驅動的建模與優化協同優化遮罩、圖案與製程窗口,連結設計與製造,降低變異、延伸 k1 限制,並以較少實驗加速從設計定案到量產。
入門指南
ASML 的差異化在於整合光刻——曝光、計量、檢測與計算方法的緊密結合,可靠地將設計意圖轉化為可製造圖案。此方法擴大製程窗口、加速學習並維持良率提升,並由全球服務、訓練與與領先晶圓廠跨世代技術合作支持。
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